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vol.90 100μmの微細ライン SiC基板への超短パルスレーザー加工

vol.90 100μmの微細ライン SiC基板への超短パルスレーザー加工

FUTA・Qでは、複数の加工技術を保有していますが、それぞれの基礎技術力とそれらを組み合わせた総合力の向上に努めています。
今号では、炭化ケイ素(SiC)基板を用いた超短パルスレーザーの精密微細パターン加工技術の検討事例をご紹介します。

高硬度耐熱セラミックスに対する超短パルスレーザー加工

素材に対する熱影響が小さいという特性を利用し、 FUTA・Qでは、金属やガラスの板材や積層樹脂膜等に対して、数多くの超短パルスレーザー加工経験を積んでいます。一方、耐熱性に優れるセラミックス類に対しての加工経験は、さほど多くありませんでした。そこで高い硬度と優れた耐熱性を持つ炭化ケイ素(SiC)基板を用いて、超短パルスレーザーの加工技術を検討してみました。

超短パルスレーザー加工
サンプル設計 材質、寸法 等
材質 炭化ケイ素(SiC)
基板サイズ 10mm × 10mm
線溝幅(細線部) 約100μm
加工深さ 主要部分 約40μm
小円部分 約60μm
ガラス基板を用いた、
加工技術検討サンプル

試作の狙い、加工検討後の所感 など

・注目していただきたい点

・工夫/苦労した点

・課題、次に検討したいこと など

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